高性能512GB M.2 SSD横评：谁才是千元内最强的M.2 SSD？( 二 ) _知识百科

现在QLC也来了，去年Intel的660p和三星的860 QVO用的就是QLC闪存， QLC = Quad-Level Cell ，即4 bit per cell ，每单元可以存储4位数据，充电值多达16个，然而要在一定的电压下塞入0000到1111这么多种电位，控制的难度和精准度可想而知有多高，写入性能与耐久度的下是必然的，然而可以换回更高的存储密度，降低每GB存储空间的成本，这也是闪存厂商一直在追求的， QLC相比SLC来说每单元可以存多4倍的数据、是MLC的两倍、比TLC多50% ，但性能与耐久度也和每代闪存升级时那样有所降低。
耐久度方面是大家比较担心的，可能还有不少人以为QLC只有100多次P/E ，实际上这已经是闪存工艺还是2D时代的观念了，以前提升闪存的存储密度是升级新工艺的提升晶体管密度的，然而这会导致阻挡电子的二氧化硅层越来越薄，导致可靠性变差，然而现在各家都换用3D工艺了，现在提升闪存容量不再靠制程提升晶体管密度，而是要提升堆叠层数，工艺相对来说不需要那么先进的，可以使用老的工艺生产3D NAND这样还可以提供比较好的可靠性，另外主控的纠错能力也是影响闪存的耐久度。
根据美光给出的数据，他们家的3D QLC闪存其实也可以达到1000 P/E ，也不算太差已经有初期2D TLC闪存的耐久度了，作为对比3D TLC闪存是3000 P/E ，而3D MLC闪存则是10000 P/E 。
而东芝方面公布的QLC耐久度其实更好一点，他们的96层堆栈BiCS 4技术的QLC闪存在1500次P/E循环之后也没有看到明显的劣化迹象，这代表着QLC闪存的实际P/E寿命不止1500次，所以在寿命这个问题上， 3D NAND时代的QLC闪存没什么好担心的，情况比TLC闪存刚问世时要好太多了。
性能是大家所关心的另一个方面，其实QLC SSD的容量都很大，所以SLC Cache空间也很大，当SLC Cache还有的时候SSD的写入速度是很快的，但如果用光的话QLC的原始写入速度会暴跌至比HDD机械硬盘还低，当然要用光这些缓存你得一次写入几十GB的东西，实际应用时还是比较少碰到这种情况的。
NAND闪存价格大跌， SSD价格一路走低
SSD的主要存储介质NAND闪存从2016年第四季度就开始涨价，导致SSD的价格也随之一起在涨，整个2017年SSD市场都在缺货和涨价之间度过，不过到了2018年第一季度事情有了转机， NAND闪存价格开始跌了，而且一跌就是一年。
2018年NAND闪存价格大降的原因是供需失衡，厂商的64层3D闪存产能量产了，但是智能手机等下游需求低了，导致NAND闪存价格降了50% 。预计今年这个趋势还会继续下降，如果需求不振， NAND闪存价格还要再降50% 。此外，今年虽然NAND厂商会量产96层堆栈的3D闪存，不过占比只有1/3左右，过半产能依然是64/72层堆栈的3D闪存。
由于重要原料NAND闪存的价格下滑，今年SSD的价格也一路走低，以三星860 EVO 500GB为例，它在2月份刚上市时价格为1199元，半年后它的价格已经直接腰斩了，现在只需要500多元就能买得到。
随着SSD整体价格的走低，选购大容量产品的玩家也随之增多，当然了256GB还是绝对主流，不过近段时间512GB的SATA盘价格已经降到500元左右，而高性能M.2盘的价格也降至800到1000元之间，这个价格已经步入消费者的心理价位，选购512GB SSD的人也多了，而1TB的大多数都在1500元以上，价格还是比较高的，选择这个容量的人相对比较少。

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